Samsung ha desarrollado una tecnología que podría revolucionar los chips de memoria de próxima generación. El gigante tecnológico anunció un adelanto que incrementa la capacidad de almacenamiento sin requerir más potencia. Lo más increíble de esta nueva tecnología es que solo consume una fracción de energía comparada con las memorias convencionales.
De acuerdo con un estudio publicado en la revista Nature, investigadores de Samsung crearon una memoria que permite aumentar la capacidad sin impactar el consumo. La nueva tecnología está basada en transistores ferroeléctricos (FeFETs) capaces de operar con un voltaje de paso casi nulo. Según las primeras pruebas, las nuevas memorias reducirían el consumo energético hasta en un 96% frente a la NAND convencional.
Esto es posible gracias a una capa ferroeléctrica de hafnio dopada con circonio, la cual permite que las celdas de memoria mantengan estados estables sin necesidad de aplicar un alto voltaje de paso. La tecnología no solo requiere menor electricidad, sino que también minimiza los disturbios de lectura/paso, mejorando la retención y la durabilidad.
En términos de espacio, los FeFETs pueden almacenar hasta 5 bits por celda con una estabilidad similar o mayor a la NAND. Los investigadores señalan que el consumo energético se mantiene al mínimo incluso en estructuras apiladas o con longitud de canal corta. Esto último es importante, puesto que el almacenamiento multinivel (3D) de las memorias actuales requiere un alto voltaje de paso.
La nueva tecnología de Samsung permitirá que tu móvil tenga mayor capacidad
Aunque esto suena complejo a simple vista, la nueva tecnología de Samsung podría resolver una de las mayores limitantes de los dispositivos móviles. Recordemos que, por diseño, el aumento de capacidad está ligado al consumo energético en las memorias NAND flash. El nuevo material de las celdas FeFETs permite ganar espacio de almacenamiento sin sacrificar la potencia.
Es probable que estas memorias se implementen en la próxima generación de dispositivos móviles. Actualmente, Samsung enfrenta una escasez de memoria por la fiebre de la inteligencia artificial. Los primeros reportes aseguran que la surcoreana no se da abasto para satisfacer la demanda de chips para servidores de IA, lo que provocará un incremento de precio durante 2026 y 2027.
Por el momento no existen detalles sobre el desarrollo de las nuevas memorias basadas en FeFETs. Antes de pensar en una producción masiva, este adelanto tendrá que ponerse a prueba para garantizar que ofrece la estabilidad y rendimiento que encontramos en las memorias NAND.
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