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así serán Intel 7, 4, 3 y el 20A de la “era Ángstrom”

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Intel estará olvidándose, al menos en el nombre de sus nuevos procesos, de los nanómetros. La compañía acaba de anunciar su completo roadmap de productos e innovaciones que lanzarán hasta 2025 y más allá, en el que nos adelantan la nueva estructura de nombres para sus proceso de fabricación.

Según Intel este cambio es para “brindar a los clientes una visión más precisa de los nodos de proceso en toda la industria”. Por ejemplo, la nueva generación de chips de 10nm de la compañía pasará a llamarse Intel 7, dejando a un lado las combinaciones como lo vimos con Tiger Lake y su proceso SuperFin de 10nm.

Intel 7, Intel 4, Intel 3, Intel 20A y más allá

Este es el roadmap detallado de la compañía de aquí a 2025 y más allá:

Intel Roadmap 2025
  • Intel 7: este será el nombre del proceso de fabricación que se le conocía como 10nm Enhanced Super Fin, es la tercera generación del proceso de 10nm de la compañía y sucesor del proceso actual. Promete una mejora del 10 al 15% en rendimiento por watt y optimización en sus transistores FinFET. Este mismo año veremos los primeros productos Intel 7, unos de los primeros serán los Alder Lake para usuarios finales.

  • Intel 4: así se llamará al esperado proceso de 7nm que Intel ha retrasado por varios años. Utilizaría tecnología EUV y promete una mejora del 20% en rendimiento por watt. Igualmente seguirá usando los transistores FinFET, pero mejoraría en la densidad que hay de éstos por milímetro cuadrado. Se lanzará en la segunda mitad de 2022 con Meteor Lake.

  • Intel 3: esta será la segunda generación de chips de 7nm, promete una mejora del 18% en rendimiento por watt en comparación con Intel 4 gracias a diversas optimizaciones, pese a seguir usando transistores FinFET. Aún no se tiene nombre de los chips que usarán este proceso, pero se espera que su manufactura empiece en la segunda mitad de 2023.

  • Intel 20A: este será el salto más importante que tendrá Intel en los próximos años, ya que se despide de los transistores FinFET para dar paso a los nuevos RibbonFET (de tipo Gate-All-Around), además de integrar la tecnología PowerVia que según la compañía es “la primera implementación de Intel en la industria de suministro de energía en la parte posterior que optimiza la señal de transmisión al eliminar la necesidad de enrutamiento de energía en la parte frontal de la oblea”. Los primeros productos se lanzarían en 2024.

  • Intel 18A: en 2025 se espera la primera mejora de los transistores RibbotFET, proporcionando un salto importante en rendimiento. Por cierto, la A en esta y la arquitectura anterior se refiere, según Intel, a la “era Ángstrom” que es una unidad de medida más pequeña que los nanómetros: 1 nanómetro es igual a 10 Ángstrom.

Intel Accelerated Wafer 1Intel Accelerated Wafer 1

Intel aprovechó el anuncio de este roadmap para confirmar que para 2022 se lanzará la segunda generación de su empaquetado Foveros, que combina diversos elementos del hardware como CPU, GPU y RAM para ahorrar espacio, debutará con Meteor Lake. Además también prepara Foveros Omni y Foveros Direct para unir directamente cobre con cobre para interconexiones de baja resistencia, ambas estarán listas para 2023.

Según el CEO de Intel, Pat Gelsinger, esperan que este roadmap los lleve de nuevo al liderazgo en proceso de fabricación:

“Basándonos en el liderazgo incuestionable de Intel en empaquetado avanzado, estamos acelerando nuestra ruta de innovación para asegurarnos que para el 2025 vayamos por un camino claro hacia el liderazgo en el rendimiento de procesos”

Intel Accelerated Pat Gelsinger 3Intel Accelerated Pat Gelsinger 3

Aunque claro, el cambio de nombre en los procesos de fabricación de Intel también tiene sentido al saber que su competencia ha presumido los “7nm” de sus chips por varios años, aunque esto no necesariamente se refiera al tamaño real de cada uno de los transistores.

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